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IMZC120R012M2H-데이터 시트
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IMZC120R012M2H는 인피니언 테크놀로지스의 1200 V, 12 mΩ N 채널 실리콘 카비드 (SiC) MOSFET으로, 고효율 및 고전력 밀도 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.