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EPC2010C

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EPC2010C

제조 업체:

EPC

설명:

GANFET N-CH 200V 22A 다이 개요

공급자의 장치 패키지:

다이 아웃라인(7-솔더 바)

빠른 RFQ

재고 중:

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제품 세부 정보

MFR.부품 번호:

EPC2010C

주식:

12863

상품 카테고리:

트랜지스터 - 페트스, 모스페트스는 - 단타를 날립니다

전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C:

22A (Ta)

소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:

200 Ｖ

구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다):

5V

FET은 타이핑합니다:

엔-채널

게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다:

5.3nC @ 5V

Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):

100V에서 540pF

장착형:

표면 마운트

작동 온도:

-40' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ)

패키지 / 케이스:

죽다

제품 상태:

액티브

Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:

25m옴 @ 12A, 5V

기술:

GaNFET(질화갈륨)

브그스 (맥스):

+6V, -4V

Id에 있는 Vgs(th) (맥스):

2.5V @ 3mA

제품 설명

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IMZC120R078M2H-데이터 시트 의CoolSiCTM MOSFET 디스크리트1200 V, 78 mΩ G2 높은 크리피지 패키지와 함께 TO-247 4pin 패키지는 보다 비용 최적화를 위한 첨단 솔루션을 제공하는 중요한 개선으로 1세대 기술의 강점을 기반으로 합니다.,효율적이고 컴팩트하고 설계가 쉽고 신뢰할 수 있는 시스템입니다. 그것은 AC-DC, DC-DC의 모든 일반적인 조합에 대한 하드 스위치 동작과 소프트 스위치 토폴로지에서 더 나은 성능을 향상 시켰습니다.DC-AC 단계. 전형적 사용법 일반용 드라이브 (GPD) 전기차 충전- 온라인 끊김 없는 전원 공급 장치 (UPS)스트링 인버터 에너지 저장 시스템 (ESS)- 용접 장비

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IMZC120R034M2H-데이터 시트 의CoolSiCTM MOSFET 디스크리트1200 V, 34 mΩ G2 높은 크리피지 패키지와 함께 TO-247 4pin 패키지는 더 비용 최적화 된 고급 솔루션을 제공하는 중요한 개선으로 1 세대의 기술의 강점을 기반으로합니다.,효율적이고 컴팩트하고 설계가 쉽고 신뢰할 수 있는 시스템입니다. 그것은 AC-DC, DC-DC의 모든 일반적인 조합에 대한 하드 스위치 동작과 소프트 스위치 토폴로지에서 더 나은 성능을 향상 시켰습니다.DC-AC 단계. 전형적 사용법 일반용 드라이브 (GPD) 전기차 충전- 온라인 끊김 없는 전원 공급 장치 (UPS)스트링 인버터 에너지 저장 시스템 (ESS)- 용접 장비

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