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SCT2750NYTB

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SCT2750NYTB

제조 업체:

롬 반도체

설명:

SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268

공급자의 장치 패키지:

TO-268

빠른 RFQ

재고 중:

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제품 세부 정보

MFR.부품 번호:

SCT2750NYTB

주식:

1548년

상품 카테고리:

트랜지스터 - 페트스, 모스페트스는 - 단타를 날립니다

전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C:

5.9A(Tc)

소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:

1700 Ｖ

구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다):

18V

FET은 타이핑합니다:

엔-채널

게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다:

17nC @ 18V

Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):

800V에서 275pF

장착형:

표면 마운트

작동 온도:

175' Ｃ (TJ)

패키지 / 케이스:

TO-268-3, D3Pak (2개 리드 + 탭), TO-268AA

전력 소모 (맥스):

57W(Tc)

제품 상태:

액티브

Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:

975m옴 @ 1.7A, 18V

기술:

식페트 (탄화규소)

브그스 (맥스):

+22V, -6V

Id에 있는 Vgs(th) (맥스):

4V @ 630μA

제품 설명

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