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SI2301CDS-T1-GE3

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SI2301CDS-T1-GE3

제조 업체:

비샤이

설명:

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

공급자의 장치 패키지:

SOT-23-3 (TO-236)

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제품 세부 정보

MFR.부품 번호:

SI2301CDS-T1-GE3

주식:

104235

상품 카테고리:

트랜지스터 - 페트스, 모스페트스는 - 단타를 날립니다

전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C:

3.1A (Tc)

소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:

20 Ｖ

구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다):

2.5V, 4.5V

FET은 타이핑합니다:

P-채널

게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다:

4.5 Ｖ에 있는 10 nC

Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):

10V에서 405pF

장착형:

표면 마운트

작동 온도:

-55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ)

패키지 / 케이스:

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

전력 소모 (맥스):

860mW(Ta), 1.6W(Tc)

제품 상태:

액티브

Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:

112m옴 @ 2.8A, 4.5V

기술:

MOSFET (금속 산화물)

브그스 (맥스):

±8V

Id에 있는 Vgs(th) (맥스):

250uA에 있는 1V

제품 설명

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